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N MOSFET

N 沟道 MOSFET 通过电子形成电流沟道。因此在 MOSFET 被激活和导通时,电子即可通过电流轻松快速地移动。出于 N 沟道 MOSFET 的特殊性,在相同的 RDS(on) 值下,其载流子的迁移率约为 P 沟道器件的 2 到 3 倍,而 P 沟道芯片尺寸则必须为 N 沟道芯片的 2 到 3 倍。因此,大电流应用通常首选 MOSFET 晶体管 N 沟道器件。

百域芯旗下拥有多种多样的 N 沟道功率 MOSFET 产品组合。欢迎浏览下方产品。


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