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P MOSFET

P 沟道 MOSFET 采用空穴流作为载流子,其迁移率小于 N 沟道 MOSFET 中的电子流。就功能而言,二者的主要区别在于 P 沟道 MOSFET 需要从栅极到源极的负电压 (VGS) 才能导通,而 N 沟道 MOSFET 则需要正 VGS 电压。这使得 P 沟道 MOSFET 成为高边开关的理想之选。器件设计简洁,有利于在有限空间内打造低压驱动应用和非隔离 POL 产品。P 沟道 MOSFET 特性的一大优势在于可简化栅极驱动技术,这通常可降低整体成本。


产品分类
P MOSFET-5V~-30V P MOSFET-40V~-150V P MOS-200V~-250V
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