CHINA@BYCHIP.CN400-666-5385 欢迎来到BYCHIP官方网站!
当前位置:首页 > 新闻资讯 > 行业资讯
东芝推出采用超级结结构的600V N沟道功率MOSFET,助力提高电源效率
发布时间:2021-8-4 14:43:05

东芝电子元件及存储装置株式会社(“东芝”)今日宣布,推出采用最新一代工艺制造[1]的TK055U60Z1,进一步扩充了N沟道功率MOSFET系列产品线。该器件采用超级结结构,耐压600V,适用于数据中心、开关电源和光伏发电机功率调节器。该新产品是东芝DTMOSVI系列中的首款600V产品,于今日开始批量出货。

image001.jpg

通过对栅极设计和工艺进行优化,与具有相同漏源电压额定值的东芝目前的DTMOSIV-H系列产品相比,600V DTMOSVI系列产品的单位面积漏源导通电阻降低了约13%,漏源导通电阻×栅漏电荷(MOSFET性能的品质因数)降低了约52%。这有助于确保该系列产品实现导通损耗和开关损耗的双重降低,并最终实现了开关电源效率的提高。

该新产品采用TOLL封装,栅极驱动采用开尔文连接。可以通过降低封装中源极线电感的影响,增强MOSFET的高速开关性能,从而抑制开关过程中的振荡。

未来,东芝将继续扩展600V DTMOSVI系列产品线,以及已发布的650V DTMOSVI系列产品,并通过降低开关电源的功率损耗来达到节约节能的目的。

图1:漏极-源极导通电阻与栅漏电荷比较

image002.png

  应用

-     数据中心(服务器开关电源等)

-     光伏发电机功率调节器

-     不间断电源系统

  特性

-     低漏源导通电阻×栅漏电荷,有助于提高开关电源的效率

  主要规格

(除非另有说明,Ta=25℃)

器件型号

TK055U60Z1

绝对最大

漏极-源极电压VDSS(V)

600

漏极电流(DC)ID(A)

40

结温Tch(℃)

150

电气特性

漏极-源极导通电阻

RDS(ON)(mΩ)

VGS=10V

最大值

55

总栅极电荷Qg(nC)

典型值

65

栅极-漏极电荷Qgd(nC)

典型值

15

输入电容Ciss(pF)

典型值

3680

封装

名称

TOLL

尺寸(mm)

典型值

9.9×11.68

厚度=2.3

库存查询与购买

在线购买


推荐资讯

Related information
BYCHIP 版权所有 2023 保留所有权利 备案号:粤ICP备2021077475号
首页

首页

产品

产品

电话

电话

关于

关于