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東芝推出採用超級結結構的600V N溝道功率MOSFET,助力提高電源效率
發佈時間:2023-10-26 9:24:22

東芝電子元件及存儲裝置株式會社(“東芝”)今日宣佈,推出採用最新一代工藝製造[1]的TK055U60Z1,進一步擴充了N溝道功率MOSFET系列產品線。該器件採用超級結結構,耐壓600V,適用於數據中心、開關電源和光伏發電機功率調節器。該新產品是東芝DTMOSVI系列中的首款600V產品,於今日開始批量出貨。

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通過對柵極設計和工藝進行優化,與具有相同漏源電壓額定值的東芝目前的DTMOSIV-H系列產品相比,600V DTMOSVI系列產品的單位面積漏源導通電阻降低了約13%,漏源導通電阻×柵漏電荷(MOSFET性能的品質因數)降低了約52%。這有助於確保該系列產品實現導通損耗和開關損耗的雙重降低,並最終實現了開關電源效率的提高。

該新產品採用TOLL封裝,柵極驅動採用開爾文連接。可以通過降低封裝中源極線電感的影響,增強MOSFET的高速開關性能,從而抑制開關過程中的振盪。

未來,東芝將繼續擴展600V DTMOSVI系列產品線,以及已發佈的650V DTMOSVI系列產品,並通過降低開關電源的功率損耗來達到節約節能的目的。

圖1:漏極-源極導通電阻與柵漏電荷比較

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應用

-     數據中心(服務器開關電源等)

-     光伏發電機功率調節器

-     不間斷電源系統

特性

-     低漏源導通電阻×柵漏電荷,有助於提高開關電源的效率

主要規格

(除非另有說明,Ta=25℃)

器件型号

TK055U60Z1

绝对最大

漏极-源极电压VDSS(V)

600

漏极电流(DC)ID(A)

40

结温Tch(℃)

150

电气特性

漏极-源极导通电阻

RDS(ON)(mΩ)

VGS=10V

最大值

55

总栅极电荷Qg(nC)

典型值

65

栅极-漏极电荷Qgd(nC)

典型值

15

输入电容Ciss(pF)

典型值

3680

封装

名称

TOLL

尺寸(mm)

典型值

9.9×11.68

厚度=2.3

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